宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
今天推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷（Qrr）比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
21A SiHx21N65EF有5种封装形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻分别只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，栅极电荷也非常低，使得器件的传导损耗和开关损耗都极低，在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动汽车（EV）充电桩等高功率、高性能开关应用，以及LED、高强度气体放电（HID）和荧光灯镇流器照明中起到节能的作用。
器件可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲，确保限值通过100% UIS测试。MOSFET符合RoHS，无卤素。
新的650V EF系列MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周到十八周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。