保护三极管的基极
这次出现的问题是使用了ULN2003,由于直接用它的输入级接入模块的输入端,因此出现了问题。
由于电缆上存在分布电感和分布电容,因此很容易出现耦合,在ISO7637的实验中,存在高频脉冲250V,200ns
![](/Ueditor/20220314/45428.JPG)
我们必须加入限流电阻,并且与RB和分压,或者加入其他抗瞬态的器件,这样的设计是非常耗成本的,因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶体管的基极直接面对输入,这回造成很大的隐患。
另外一个错误很常见,就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面,前面已经验算过MCU的输出能力:单片机IO口的驱动能力
这很明显的造成了晶体管Ib过大,引起过大的损耗。
![](/Ueditor/20220314/65107.JPG)
因此如果遇到分立的晶体管,注意验证它的基极,是否直接接MCU,是否内部含有限流电阻(Build-in),否则很可能造成过热和损坏。
这里顺便说明一下,三极管由于有热击穿效应,所以建议把余量放大些,60%~75%,否则很有可能造成损坏。
由于电缆上存在分布电感和分布电容,因此很容易出现耦合,在ISO7637的实验中,存在高频脉冲250V,200ns
我们必须加入限流电阻,并且与RB和分压,或者加入其他抗瞬态的器件,这样的设计是非常耗成本的,因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶体管的基极直接面对输入,这回造成很大的隐患。
另外一个错误很常见,就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面,前面已经验算过MCU的输出能力:单片机IO口的驱动能力
这很明显的造成了晶体管Ib过大,引起过大的损耗。
因此如果遇到分立的晶体管,注意验证它的基极,是否直接接MCU,是否内部含有限流电阻(Build-in),否则很可能造成过热和损坏。
这里顺便说明一下,三极管由于有热击穿效应,所以建议把余量放大些,60%~75%,否则很有可能造成损坏。
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