三极管的主要参数

           （5-6）

上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。

2、极间反向饱和电流I_CBO和I_CEO

    （1）集电结反向饱和电流I_CBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的I_CBO在nA（10^-9）的量级，通常可忽略。

（2）集电极-发射极反向电流I_CEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

3、极限参数

（1）集电极最大允许电流I_CM

晶体管的集电极电流I_C在相当大的范围内β值基本保持不变，但当I_C的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的I_C即为I_CM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，I_C不应超过I_CM。

（2）集电极最大允许功耗P_CM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗P_CM，即

P_CM=I_CU_CE                 （5-7）

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。

手册上给出的P_CM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

（3）反向击穿电压U_BR（CEO）

反向击穿电压U_BR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压U_CE＞U_BR（CEO），集电极电流I_C将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源E_C的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，U_CE＞U_BR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压E_C应小于1/2 U_BR（CEO）。

4、温度对三极管参数的影响

几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

（1）对β的影响：

三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的I_B情况下，集电极电流I_C随温度上升而增大。

（2）对反向饱和电流I_CEO的影响：

I_CEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，I_CEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，I_CEO将增加一倍。由于硅管的I_CEO很小，所以，温度对硅管I_CEO的影响不大。

（3）对发射结电压u_be的影响：

和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，u_be将下降2～2.5mV。

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，i_C也将增大，u_CE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。