热分析探讨

热分析探讨

首先提一下热分析的概念哈，我们可以用各种手段完成，包括仿真软件，手算，实际测试等等，器件发热会导致很多问题：
1.半导体损耗 ： 通常，急剧上升的温度可能容易导致超过器件使用范围。
2.过大温差引起的机械应力：导致脆弱的结构部分受力过大（焊点），和早期失效。    
3.寿命降低 ： 随着每10 °C温度的升高，机械失效的概率将成倍增加。

我们一定要把下面这个图搞搞清楚，我们一般可以很多器件都会标明junc
TI
on温度，这个实际上是器件的极限温度，如果我们把器件设计在这个温度下长期工作，我想这样的设计会让人崩溃的。
呵呵，我们一般都会加一个余量，这个余量根据我们认知的不同可大可小，一般呢根据经验取20%～40%不等。


由于历史原因，对分立器件的“结温”实质上是PN交界处结温度（整流二极管，双极晶体管），普遍的来说，元器件的结温指的是在设备最热的地方（硅片）。

结温受以下几个方面的影响：
元器件本身的功耗，元器件所处的环境温度，元器件的“应用”环境，元器件的封装。

发生传热的途径一般通过三种途径：1.传导 2.辐射 3.对流
传导是通过材料的传热，从最热的地方传向最冷的地方。类似于电流传导，可以采用（热）欧姆定律来表述：

常用的传导材料的参数：

★在实践中，通过空气传导散热可以忽略不计（比较Rw数字远远大于其他材料）。
★元件的散热片上安装的'接触'电阻是非常重要的（特别当设备必须与散热片隔离的时候）。

辐射：辐射热是通过电磁波，取决于表面处理和表面的温度情况（辐射系数）。

表面辐射系数：