TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的最大延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述延迟时间均为工作温度範围内的保证值), 能够减少停滞时间，提高变频电路的效率。该产品採用的是使用寿命非常长的新型LED，因此其工作温度範围较大，在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备，包括极端热环境下使用的工业设备、家用光电动力系统、数位家用电器、测量装置和控制装置。
*: PDD是传输延迟时间差的缩写。
特徵
传输延迟时间: tpLH,tpHL=200ns (最大)
耦合器之间的传输延迟时间差(PDD) = ±90ns (最大)
工作温度範围大: Topr = −40°C到125°C
峰值输出电流: IOP = ±2.5A (最大)
低输入电流: IFHL = 5mA (最大)
耐压: BVs = 3750Vrms (最小)
应用
交流伺服放大器
功率调节器
通用变频器
IH(感应加热)
轮廓图
*: 提供可选表贴式引脚类型。
电路实例
