瓷片电容、独石电容、陶瓷电容的区别

独石
电容
、瓷片电容、陶瓷电容都是常见的电容元器件之一，

独石电容比较稳定，问温漂系数小，电容值可以做到1uF，寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。

瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的
电容器
。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲
电路
中，因为它们易于被脉冲电压
击穿
。

而陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

瓷片电容：

瓷片电容（ce
ram
iccapacitor）是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，
绝缘性
好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容：

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或mul

TI

-layer ceramic capacitor， 简称
MLCC
，根据所使用的材料，可分为三类。

一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器
电气性能
最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、
耦合
、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等
测试
条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

陶瓷电容：

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。