如何消除寄生电容的影响

寄生电容，什么是寄生电容

电容
，我们在日常生活、工作中都经常用到，但不知道大家对“寄生电容”是否知道呢？本文收集整理了一些
资料
，希望本文能对各位
读者
有比较大的参考价值。

寄生电容一般是指
电感
，
电阻
，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是
二极管
，
三极管
，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。

寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于
布线
构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容。

电容器
与
电感器
都不是理想器件。一个电容器会有一定量的串联电感（称为寄生电感）。寄生电感由电容器中的导体（特别是引线）产生。老式电容器，如20世纪60年代以前就开始使用的蜡纸介质电容器件中，串联电感很大。由于电感是与电容串联的，所以构成了一个串联谐振
电路
。

在
单片机
电路设计中，
晶振
电路中的电容C1和C2典型值通常为30PF左右。对外接电容的值虽然没有严格的要求，但电容的大小会影响振荡频率的高低，
振荡器
的稳定性和起振的快速性。晶振的振荡频率的范围通常在1.2MHZ到12MHZ之间。但反过来运行速度快对
存储器
的速度要求就搞，对
印制电路板
的工艺高球也搞，即要求线间的寄生电容也要小，晶振和电容应尽可能安装得与单片机芯片靠近，，以减少寄生电容。

如何消除寄生电容的影响

消除寄生电容的方法有：

1、增加初始电容值法。采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容
传感器
的电容量减小。由公式C0 =

可知，采用减小极片或极筒间的间距d0 ，如平板式间距可减小为0.2 毫米，圆筒式间距可减小为0.15毫米；或在两电极之间覆盖一层玻璃介质，用以提高相对介电常数，通过实验发现传感器的初始电容量C0不仅显著提高了，同时也防止了过载时两电极之间的
短路
； 另外，增加工作面积A或工作长度也可增加初始电容值C0。不过，这种方法要受到加工工艺和装配工艺、精度、示值范围、击穿电压等的限制， 一般电容的变化值在10-3～103pF之间。

2、采用“驱动
电缆
”技术，减小寄生电容。如图1所示：在压电传感器和
放大器
A 之间采用双层屏蔽电缆，并接入增益为1 的驱动放大器，这种接法可使得内屏蔽与芯线等电位，进而消除了芯线对内屏蔽的容性漏电，克服了寄生电容的影响，而内外层之间的电容Cx 变成了驱动放大器的负载，电容传感器由于受几何尺寸的限制，其容量都是很小的，一般仅几个pF到几十pF。因C太小，故容抗XC=1/ωc很大，为高阻抗元件；所以，驱动放大器可以看成是一个输入阻抗很高，且具有容性负载，放大倍数为1 的同相放大器。

在线路中所有的引线间都是有电容。和线路中有电感。所以要尽量的减少引线距离。和集中接地。可以减少很多寄生电容；电感！